Au配線技術に対するエレクトロマイグレーション評価(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)

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概要

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ミリ波帯パワーアンプMMICで、高出力化と小型化を同時に実現するためには電流密度増加による配線の信頼性が鍵となる。そこで、Au配線のエレクトロマイグレーションによる信頼性について配線断面積やSiNパッシベーション膜厚依存を調査した。その結果、5.0×10^5[A/cm^2]を超えるAu配線の電流密度ではジュール熱によるMTTF寿命の劣化が観測された。
社団法人電子情報通信学会の論文
2004-11-05

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