SOI基板上の横形IGBTにおける耐圧特性の経時変化(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
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概要
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パワーICの信頼性確立において実施する出力用高耐圧素子の信頼性確認実験の一例として、SOI基板上に形成した165V保証横形IGBTの高温・高電圧印加試験時における耐圧特性の経時変化について報告する。耐圧特性の評価結果とともに、本試験によって発生した特性不良の解析実施例も示す。本報ではこれらの結果を通して、高温・高電圧直流印加試験の方法、耐圧値の経時変化の様子、また耐圧変動の発生メカニズム解明手段とその対策案について説明する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-11-05
著者
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