導体円柱による散乱界に対する新たな高周波一様近似解(電磁界理論)
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概要
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本論文においては,導体円柱に線磁流源から放射される高周波円筒波が入射する場合に生じる散乱界を,従来より高精度の近似を用いて解析を行い,影境界近傍の遷移領域から,UTD(Uniform GTD (Geometrical Theory of Diffraction))が適用困難な円柱表面に比較的近い深い影領域に至る広い範囲で一様に有効な,散乱界に対する新かな一様近似解(「拡張UTD」と定義する)の導出を行う.また,UTDで用いられているPekeris caret関数の精度向上を固った新たな拡張Pekeris caret関数を,留数定理を用いて評価することにより,UTD及びGTDの有する問題を解消した形の修正UTDの導出を行う.更に,拡張UTDは,十分な照射領域において,経験則に基づく補正を施すことなく,近似解析的に幾何光学的な反射波解に漸近することを明らかにするとともに,拡張UTDは,導体円柱の曲面と半無限導体平板のエッジによる散乱現象の類似性及び導体円柱による散乱現象の特異性を理解する上において,有利な表示式であることを明らかにする.提案する拡張UTD及び修正UTDの有効性及びUTDの有する問題点については,固有関数展開による厳密解と比較することにより明らかにする.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-10-01
著者
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