GaInN系LEDの発光特性と高出力素子(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

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概要

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• GaInN系LEDは、その特異的な発光機構により、特徴的なデバイス特性を示す。その中で、発光波長の電流増加に伴うブルーシフトおよび外部量子効率の電流密度依存性に着目し、発光機構モデルとの関係について実験的に検討を行った。また、更なる高効率化に向けての課題についてまとめ、照明応用に向けたGaInN系高出力LEDの現状技術を示した。1mm角サイズのチップの高出力LEDにおいて、パッケージあたり100 lmを超える光束を実現した.

• 2002-06-08

著者

• 渡辺 智

  アジレント・テクノロジー(株)アジレント研究所

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