ED2000-52 / SDM2000-52 ASETにおける100nm以降のリソグラフィ研究
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概要
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ASETでは、将来のリソグラフィ関連技術として、X線等倍近接転写法、EUV縮小投影露光法、電子線露光法、VUV縮小投影露光法等の技術開発を行っている。X線は100nm、VUVは100-70nm、EUVは70nm以降にそれぞれ対応する技術、また電子線はマスク作製技術として位置付けている。X線では、マスク精度の向上が最大の課題、VUVでは光源と、光の吸収に伴う光学材料やレジストの技術課題が大きい。EUVは非球面反射光学系、反射型多層膜マスクに関する技術課題の取り組みが進められている。電子線は描画速度の向上に様々な技術が集約されている。これらの技術について最近の開発状況を報告し、今後の技術の動向を議論する。
- 2000-06-21