サブ-100ナノメータ垂直MOSトランジスタ
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概要
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光リソグラフィーを用いた、サブ-100ナノメータ垂直MOSトランジスタの製作について述べた。プレーナドープ障壁垂直MOSトランジスタを用いることにより、アバランシェ抑制、電流、速度などが顕著に改善された。デルタドーピングによる電解制御により、キャリア速度オーバーシュートおよび速度分布のマックスウェル分布からガウス分布への変化が起こる。また低温におけるキャリア密度の量子化モデルを提案した。歩留りは70%、リーク電流、しきい値電圧および伝達コンダクタンスのばらつき(σ)は、チップ上で3%、ウェーハ間で10%であった。
- 1998-04-24