高速SiGeベースHBTの高電流領域における速度低下メカニズムの解析
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概要
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高電流領域における速度低下メカニズムとして、ベース・コレクタ接合空間電荷領域(SCR)幅の変動に伴うベース走行時間の増加(IBWM)とSCR走行時間の増加(SCRW)について議論し、関連する走行時間の解析式を提示する。シミュレーションと走行時間評価により、IBWMが実際のSiGeベースHBTにおいて速度を低下させていることを示す。また、将来の超高速HBTではSCRWが動作速度に影響することをシミュレーション結果により示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-09-17