GaAs広帯域低歪増幅器

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概要

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• GaAs FETを使用した広帯域、低歪増幅器マルチチップIC (MCIC)を開発した。24V単電源動作にて, 周波数50〜770MHzで22dB以上の線形利得を示した。多チャンネルキャリアによる複合3次歪は、77ch入力時に-66dB(出力-4.75dBm/波において)を得た。FET及び一部の抵抗はMMIC化して、パラスティックなL成分、C成分を低減したため広帯域にわたり高い利得を達成した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1996-01-18

著者

• 若林 良昌

  Nec 化合物デバイス事業部

• 北村 一哉

  日本アビオニクス 電子デバイス事業部

• 深澤 善亮

  NEC 化合物デバイス事業部

• 角田 雄二

  NEC 化合物デバイス事業部

• 白川 泰弘

  NEC 化合物デバイス事業部

• 浅野 義堂

  日本アビオニクス 電子デバイス事業部

• 深澤 善亮

  Nec

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