負性抵抗半導体での高電界ドメインとカオス的電流振動の発生
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概要
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シリコンデバイスは現在、微細化の一途を辿り目覚しい発展を遂げつつあるが、ノイマン型情報処理システムのもつ性格上、柔軟で知的な情報処理はあまり得意ではない。1960年代以降、カオスや分岐現象といった非線形現象が、その複雑さや多様さゆえ、大変興味深い対象として活発に研究されている。そして、柔軟で知的な情報処理を、それら非線形現象を応用することで実現しようとする流れがある。この小論では、負性抵抗半導体におけるカオス的電流振動と分岐現象を示し、分岐現象を応用すべく制御パラメータの変化に対する制御性を調べた結果を報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-13