UHV-BEEMによって観たAu/CaF_2/Si(111)界面のナノ構造
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概要
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界面の電子物性を探る新い手法として, 弾道電子放射顕微鏡(BEEM ;B__-allistic E__-lectron E__-mission M__-icroscopy)が提案されている. 本報告では, 我々が開発した超高真空(UHV ;U__-ltrah__-igh V__-acuum) -BEEM と, それを用いて調べた金(Au) /フッ化カルシウム(CaF_2) /シリコン(Si)の界面電子物性について述べた. CaF_2層を制御することで, 弾道電子が透過できる領域とできない領域がナノメートルレベルで出現することを示した. これら二つの領域では, Si基板との界面に異なる高さの電位障壁が形成されていることがBEEM により明らかになった. 界面に存在するCaF_2層の構造と電位障壁の関係について議論した.
- 1997-07-15
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