InGaAsP/InAlAs超格子APDの暗電流低減化

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概要

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InGaAsP/InAlAs超格子 APD の暗電流低減化に向け、もっとも強い電界のかかる超格子増倍層部に非対称超格子と歪み補償超格子の二種類の構造を導入し、比較検討した。非対称超格子では、井戸層を薄くするとともに障壁層を厚くし、実効バンドギャップを増加させることで増倍層におけるトンネル暗電流を抑制させた。また、歪み補償超格子ではInGaAsP井戸層とInAlAs障壁層との界面における伝導体バンド不連続Δ E_c を大きくとり、価電子帯側のバンド不連続は0となるように混晶組成を決定した。歪み補償超格子の導入では実効バンドギャップの増加とともにイオン化率の増加も期待できる。
社団法人電子情報通信学会の論文
2001-05-17

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