GeSbTe記録層への反応ガス導入によるJitter特性改善

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概要

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GeSbTe系材料を記録膜に用いた相変化ディスクは、書き換え耐久性に優れていることから、さらなる高速、高密度記録の検討が精力的に進められている。しかしGeSbTe系材料には、オーバーライト回数が1回〜約100回において再生信号のJitterが増加する現象(以後、Jitter peak)が生じる。この問題を解決するため、我々は記録層成膜時に窒素ガスを導入する検討を行ってきた。TEM観察の結果、マーク後端の歪み部分を構成する結晶の粒径が、Jitter peakの発生に関係があることが判った。また、記録層への窒素ガス導入が歪み部分結晶粒径の低下、及びJitter peakの低減に有効であるとの知見を得た。
社団法人電子情報通信学会の論文
1999-03-04

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