ガラス基板上低温形成薄膜多結晶シリコン太陽電池

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概要

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ガラス基板上にプラズマCVDを用いた低温形成法により薄膜多結晶シリコン太陽電池を作製した。下地反射層のテクスチャ化により、2ミクロン以下のうす膜でも25mA/cm^2以上の短絡電流が取り出せる新規光閉じ込め構造(STAR構造)を開発した。2ミクロン厚の薄膜多結晶シリコン太陽電池で実効変換効率10.7%(アパチャ効率10.1%、JQA測定)を達成した。感度スペクトル解析、SPV法による評価から薄膜多結晶シリコン太陽電池は膜厚以上の少数キャリア拡散長を有することが分かった。
社団法人電子情報通信学会の論文
1998-05-21

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