絶縁膜系電極と集積化化学センサ
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概要
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導電体-絶縁膜-半導体(Conductor-Insulator-Semiconductor)構成の絶縁膜系電極の化学センサのひとつであるSPV(Surface Photovoltage)法を用いた集積化化学センサを検討した。SOI(Siliconon Insulator)基板を用いて製作し、裏面からのパルスビーム光による照射についてセンサの基本特性調べた。シリコン単結晶では基板の厚さを10μmに薄くしても照射光の波長が1000nm付近でセンサ出力が最大となる。また集積化化学センサの構築では、SOS(Silicon on Sapphire)基板を用いたセンサと可視レーザー光との組み合わせが、センサ応答の二次元分布の解像度が飛躍的に向上し最適であった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-07-07
著者
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