p-InSbで構成したイメージ線路の671GHzサブミリ波非可逆伝搬特性
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概要
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p-InSbで構成したイメージ線路の671GHzサブミリ波伝搬特性について理論的及び実験的に検討を行った.その結果, キャリア密度を増加させた場合, 横磁界を印加することでサイクロトロン共鳴及び表面波共鳴によるサブミリ波の減衰が生じ, 透過サブミリ波量を大きく変化しうることが示された.また, 印加磁界の方向による減衰量の違いも見られ, このイメージ線路に非可逆性が生ずることが示された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-10-19
著者
-
高橋 基
秋田大学工学資源学部電気電子工学科
-
淀川 信一
秋田大学工学資源学部電気電子工学科
-
高坂 諭
秋田大学工学資源学部電気電子工学科
-
小武内 哲雄
秋田大学工学資源学部電気電子工学科
-
高坂 輸
秋田大学工学資源学部
-
淀川 信一
秋田大学大学院工学資源研究科
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