光照射MESFETの実験と理論の比較・検討

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概要

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• 本報告では、MESFETに光照射した時の実測とドリフト・拡散モデルを用いたシミュレーション結果を比較・検討した。実測値とドリフト・拡散モデルの解析領域の一致を見るためにCold FETを用いた。Cold FETで得られた測定結果より寄生素子のパラメータを決定した。このパラメータをもとに、通常のバイアス条件における光照射及び非光照射時のドリフト・拡散モデルの解析領域の実測値を算出した。その結果、ドリフト・拡散モデルと実測値とが比較的一致することを確認することができた。これにより、光照射MESFETの解析にドリフト・拡散モデルが有用である事を確認できた。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2001-01-12

著者

• 川崎 繁男

  東海大学電子情報学部電気電子工学科

• 桑山 竜夫

  東海大学工学部通信工学科

• 川崎 繁男

  東海大学工学部通信工学科

• 小林 淳

  東海大学工学部通信工学科

• Alsunaidi M.A.

  Department of Electrical Engineering, King Fahd University of Petroleum and Minerals

• 川崎 繁男

  宇宙航空研究開発機構

• 川崎 繁男

  京大

• Alsunaidi M.a.

  Department Of Electrical Engineering King Fahd University Of Petroleum And Minerals

• Alsunaidi M.a.

  Department Of Communications Engineering Tokai University

• 川崎 繁男

  Department of Electrical Engineering King Fahd University of Petroleum and Minerals

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