F_2リソグラフィー技術の課題と展望(IT革命に向けたリソグラフィー技術論文<小特集>)
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概要
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半導体集積回路の高集積化のキー技術である光リソグラフィー技術は, 量産でKrFエキシマレーザリソグラフィー(248nm)が使用され, 数年後にはArFエキシマレーザリソグラフィー(193nm)も量産に適用されてくる.したがって, ポストArFリソグラフィー技術が議論されてきており, 現在のところF_2レーザリソグラフィー(157nm)が最有力候補とされている.本論文では, F_2レーザリソグラフィー技術開発における現状及び課題について解説する.
- 2001-12-01