高密度磁気記録用16/17MTR符号の書込み補償方式
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概要
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本論文では, 高密度磁気記録に適した16/17MTR符号の書込み補償による性能改善方式について述べた.16/17MTR符号をMEEPRMLで復号する場合, 3回連続した磁化反転に対する復号誤りが最も多くなる.連続した3回の磁化反転に対して, 最初の磁化反転と最後の磁化反転を磁化反転間隔が広がる方向にずらすことにより書込み補償を行う.提案した書込み補償方法により, D_U=3の場合0.5dBのS/Nゲインが得られることをシミュレーションにより確認した.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-09-25
著者
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