リアクティブFETの光照射によるアクティブ集積アンテナの位相制御

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概要

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本報告では、多素子AIAにおいて光制御による放射方向の走査をするために、リアクタンス制御の発振器機能を用いた回路による位相変化について検討した。発振器のゲート部分にMESFETを用いたリアクティブFET回路を設置し、隣接する回路のドレイン部分へカップリングさせる構成とした。この回路の配列により、光制御により回路のPORT間で約55度の位相差を生じた。また、3素子AIAとすることにより、ビーム走査を実験的に求めたところ、約13度の主ビームのシフトを確認した。
社団法人電子情報通信学会の論文
2003-06-13

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