金型転写モールド法電界放出エミッタ(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)

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概要

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高い効率及び信頼性を持ち、低コストの金型転写モールド法電界放出エミッタを開発した。従来の転写モールド法電界放出エミッタ作製技術の代表的な方法は、Si単結晶を溶解除去し、真空プロセスやステッパ露光装置を用いていた。今回、予め作製した先鋭な電界放出エミッタを原盤とし、その原盤から超精密Niメッキ技術で、先鋭な底部を持つNi金型を作製、この金型を用いて、プレス法等により有機樹脂を加工し先鋭な電界放出エミッタを作製した。金型は繰り返し使用可能で、ステッパや真空プロセスも不要である。作製したエミッタの先端曲率半径は18〜50nmと先鋭であり、8V/μmの低い電界閾値で電界電子放出が得られた.
社団法人電子情報通信学会の論文
2003-12-05

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