3a-M-5 InSe-ZnTeダイオードの光電特性

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1973-04-03

著者

• 鈴木 守夫

  佐賀大 理工

• 鈴木 守夫

  佐賀大理工

• 篭田 和徳

  佐賀大理工

• 篭田 和徳

  佐賀大 理工

関連論文

• 2p-F-1 GaAsのトンネルコンダクタンスにおけるゼロバイアス異常
• 30p-PSA-25 高温超伝導体BSCCOのトンネルスペクトル
• 7p-PSA-41 Bi系高温超伝導体のトンネルコンダクタンスにおけるゼロバイアスコンダクタンスピーク
• 28a-R-4 トンネル分光法によるGaAs:Znにおける電子局在の研究
• 28a-R-4 トンネル分光法によるGaAs:Znにおける電子局在の研究
• Bi_2Sr_2CaCu_2O_の単結晶作成とトンネル分光
• Ba_K_xBiO_3の単結晶育成とトンネル分光
• 28p-PSA-7 Bi_2Sr_2Ca_Na_xCu_2O_のトンネル分光
• 28p-PSA-6 Bi_2Sr_2CaCu_2O_におけるトンネルスペクトルの酸素濃度依存性
• 26a-PS-24 Bi_2Sr_2CaCu_2O_のトンネル分光
• 4a-KL-6 CdIn_2S_4のトンネル効果
• 29p-PSA-44 層状物質ZrSe_2の電子状態に関する考察(II)
• 層状物質ZrSe_2の電子状態に関する考察
• 23aPS-34 Naドープした高温超伝導体BSCCOのトンネル分光法による電子状態の研究
• 24aPS-81 BKBOにおける超伝導発現機構のトンネル分光
• 電子トンネル分光によるoptimum 〜overdope域における擬ギャップ構造の観察(基研研究会「強結合超伝導-Pseudogapを中心として-」,研究会報告)
• 27p-PS-74 BaPb_Bi_O_3のトンネル分光
• 23aPS-42 酸化物におけるオゾンのホールドーピング効果
• 3a GE-13 Bi_2O_3薄膜の電導特性
• CuO単結晶に於ける電気・磁気異常
• 31a-K-12 CuO単結晶の電気・磁気異常
• 26a-PS-60 CuO単結晶の電子物性
• 22aPS-21 ヨードメトリによる Bi 系高温超伝導体 (2212) における Tc のホール濃度存性の研究
• 28aPS-41 BSCCO(2212)における臨界温度及び超伝導ギャップのホール濃度依存性(領域8 ポスターセッション)(領域8)
• 28aPS-27 Bi_2Sr_2CaCu_2O_の電子状態における希土類元素置換効果(領域8 ポスターセッション)(領域8)
• 18pPSA-11 Zn置換BSCCOにおける擬ギャップのトンネル分光
• 28pPSA-18 Bi_2Sr_2Ca_Y_xCu_2O_のトンネル分光
• 28pPSA-15 Ni、Zn置換したBSCCOのトンネル分光
• 23aPS-51 トンネル分光法によるBKBOの超伝導発現機構の研究
• CuOの電荷・スピン・軌道結合と高温相転移
• 24aPS-34 Bi系ペロブスカイト構造へのLiインターカレーション効果
• 24aG-12 CuOに於ける絶縁体金属転移
• 24aG-11 CuO単結晶の電気・磁気異常III : 誘電率測定から
• MAl_2O_4(M=Mg,Ca,Sr)における応力発光特性と蛍光特性との相関
• 31a-K-11 Biを含む層状物質系に対するLiインターカレーション効果
• 29p-B-6 異種超伝導体からなるJosephson接合の電圧-電流特性(III)
• Biを含む層状物質系に対するLiインターカレーション効果
• 26a-PS-47 Biを含む層状物質系に対するLiインターカレーション効果
• 30p-PSA-22 異種超伝導体からなるJosephson接合のV-I特性
• 29p-PSB-12 トンネル分光によるBi_2Sr_2CaCu_2O_における電子状態の正孔濃度依存性の研究
• 微分による高分解能電子トンネル分光
• InSbのトンネル分光
• 12a-W-13 Pb-CdIn_2S_4-In素子の電圧 : 電流特性
• 4a-KL-15 酸化ビスマス薄膜の負性抵抗振動現象
• 酸化ビスマス薄膜の光起電力効果
• 3p-TC-13 Al-Bi_2O_3-Metalの電気的性質 III
• 18p-A-18 Al-Bi_2,O_3-Metalの電気的性質 II
• 3a-J-16 GaAsトンネル接合のゼロバイアス異常
• 電圧 : 電流特性と交流波形の直視
• 29p-PS-69 Ba_2YCu_3O_yのトンネル分光 : 温度依存性
• 29p-PS-67 Ba_2YCu_3O_yのトンネル分光 : 磁場依存性
• 28p-A-3 InSbのマグネット・トンネル効果II
• 28p-A-2 GaAsのトンネル分光
• 3a-F-3 InSbのマグネット・トンネル効果
• 28a-N-6 InSbのトンネル分光
• 30a-K-4 Sb doped Siのreserved regionに於ける局在状態
• 3p-B-1 Pb-Sb doped Si接合のトンネル効果とVariabte range hopping
• 2a-B-5 トンネル分光法によるPb_Ge_xTeのエネルギーギャップ
• 2a-B-4 Pb-SiO_2-Pb_Ge_xTe接合のトンネルコンダクタンスとバンド構造
• 31p-BJ-13 シリコン不純物帯のトンネル分光
• 9p-R-16 WKB法に基づくトンネルコンダクタンス
• 9p-R-15 Pb_Ge_xTeのトンネルスペクトル
• 10p-F-5 Pb_Sn_xTeのトンネル分光 II
• 12a-W-4 Pb_xSn_Teのトンネル効果
• 3a-M-5 InSe-ZnTeダイオードの光電特性
• 7p-P-9 Gd単結晶の電流磁気効果
• Al-Bi_2O_3-Pbの電気的特性 : 半導体(化合物・音波)
• 1a-YK-1 常圧焼結によるY_Ca_Ba_2Cu_4O_8の作製(1aYK 低温(高温超伝導・結晶化学,高圧物性),低温)
• 3a-PS-37 R(R=Er.Y)Ba_2Cu_3O_の帯磁率とHall効果(低温(酸化物超伝導体))
• 2p-F-1 GaAsのトンネルコンダクタンスにおけるゼロバイアス異常(2pF 半導体,低温合同(量子細線,メゾスコピック,アンダーソン局在),低温)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク