キャリヤ生成結合項がn-MOSデバイスの数値シミュレーション上に及ぼす影響と問題点
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概要
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電子・正孔の2キャリヤn-MOSデバイスモデルにおいて,移流拡散方程式のキャリヤ生成結合項が付加されることによる数値シミュレーション上の負荷を検討した.その結果,2段階あみ目とリゾーニングを併用する方法がCPU時間短縮には有効であることが分かった.また,GR項の影響を数値シミュレーションと物理現象との両面で比較した.
- 一般社団法人情報処理学会の論文
- 1994-12-14
著者
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