23aB11 SEE法によるZnS//CaF_2の作成(エピタキシャル成長II)
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概要
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ZnS epitaxial layer on CaF_2 (100) is grown by the Solvent Evaporation Epitaxy method using PbCl_2 as a solvent. To avoid ZnS decomposition, the growth reaction is carried out under sulfur-enriched atmosphere. We have obtained ZnS layer at temperatures higher than 600℃.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1999-07-01
著者
-
武居 文彦
日本結晶成長学会
-
武居 文彦
大阪大学大学院理学研究科
-
前田 健
琉球大学大学院理工学研究科
-
間宮 幹人
阪大院理
-
前田 健
大阪大学大学院理学研究科
-
間宮 幹人
大阪大学大学院理学研究科
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