27aA4 縦型ボート法による無転位SiドープGaAsの成長(バルク結晶成長シンポジウムI)(バルク結晶成長シンポジウム : バルク単結晶の新しい融液成長技術)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 日本結晶成長学会の論文
• 1993-07-10

著者

• 伊藤 和人

  同和鉱業半導体材料研

• 彦坂 忠義

  同和鉱業半導体材料研

• 鳥羽 隆一

  同和鉱業半導体材料研

• 石田 典也

  同和鉱業半導体材料研

• 清水 栄二

  同和鉱業半導体材料研

• 岡田 駿

  同和鉱業半導体材料研

関連論文

• 28aA13 縦型ボート法における成長モードの検討(VGFかVBか?)(融液成長II)
• 27aA4 縦型ボート法による無転位SiドープGaAsの成長(バルク結晶成長シンポジウムI)(バルク結晶成長シンポジウム : バルク単結晶の新しい融液成長技術)

スポンサーリンク