Te溶液中からのII-VI族化合物半導体の溶液成長 : II-VI化合物半導体
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
As-Se系,As-Sb-Se系を溶媒とするZnSeの溶液成長 : 無機材料
-
2)電気光学効果による光偏向(第19回 固体画像変換装置研究委員会)
-
歴代編集長座談会 : 会誌通巻400号記念
-
(Ga, Al)Asにおける成長誘起組成ゆらぎ
-
LPE GaPのマクロステップにおける窒素原子不均一分布の測定 : エピタキシー
-
3つの散乱機構がある場合のmobility : 光物性
-
化学気相法で成長したエピタキシャル層のフォトルミネッセンスとその成長条件依存性 : エピタキシー
-
(Ga,Al)As LPE成長におけるマクロステップとファセットの形成 : ステップ運動
-
鈴木賞受賞者グループ(21世紀のテレビジョンはどうなるか?(テレビジョン学会創立20周年記念特集)
-
ホット・キャリヤのマイクロ波吸収IV(半導体(p-n接合))
-
6a-A-4 ホット・キャリヤのマイクロ波吸収III
-
ホット・キャリアのマイクロ波吸収 II : 半導体
-
4a-L-9 ホット・キャリヤのマイクロ波吸收I
-
14p-R-3 ZnTe:Pb,ZnTe:Snにおける光励起スピン共鳴
-
7p-C-13 ZnSe中のCr^+の光励起スピン共鳴
-
ZnTe中のCr^+の光励起スピン共鳴 : イオン結晶・光物性
-
ZnTeにおける,Mn^_nのE. S. R. : イオン結晶光物性 : ESR,螢光体
-
「21世紀のテレビジョンはどうなるか?」 30年前の座談会から(要約)(2.21世紀の映像情報メディアはどうなるか : 30年前の予測と現在, そして将来)(創立50周年記念特集)
-
カルコゲン化合物の結晶成長とルミネッセンスに関する研究
-
Te溶液中からのII-VI族化合物半導体の溶液成長 : II-VI化合物半導体
-
名誉会員および元会長グループ(21世紀のテレビジョンはどうなるか?(テレビジョン学会創立20周年記念特集)
-
物質の光吸収係数の電界による変化を用いた光変調 : 光変調シンポジウム : 招待講演
-
温度勾配凝固法によるGaSbの結晶成長 : 融液成長IV
-
18G-2 半導体の熱電冷却効果
-
近接気相法によるGaNエピキシャル成長 : エピタキシー
-
GaSbの水平ブリッジマン成長--微小重力下での結晶成長予備実験
-
14-4 プラズマ励起螢光体発光素子の低電圧駆動化
-
18-1 ZnO蛍光体を用いたガス放電発光素子
-
ZnS及びZnSeの気相エピタキシャル成長 : II-VI化合物半導体
-
4a-Z-10 GaN の光第二高調波発生
-
電気・電子工学大系 15巻 光電変換デバイス 前田敬二, ほか12名著(コロナ社刊(昭和50年11月10日初版発行), 定価4,700円)
-
3)新材料についての海外における研究状況(第10回 画像表示システム研究会)
-
5-部門講演 発光ダイオードの現況と将来
-
Franz-Keldysh 効果
-
電子冷凍
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク