パルス供給エピタキシ法を用いたGaAsの選択成長 : 無機結晶II

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 日本結晶成長学会の論文
• 1995-07-10

著者

• 西永 頌

  東大・工・電子

• 角田 浩司

  東大・工・電子

• アレグレッティ フェデリカ

  東大・工・電子

関連論文

• SiのLPE法による横方向成長
• MBEによるアモルファスGaAsバッファー層を用いたSi基盤上へのGaAs成長
• パルス供給エピタキシ法を用いたGaAsの選択成長 : 無機結晶II

スポンサーリンク