2a-A-11 II-VI半導体の捕獲準位
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1971-09-30
著者
関連論文
- 30a-T-4 Ge中のCuの導入及び回復(II)
- 30a-T-3 Kick-Out拡散の基本方程式の数値解
- 2p-NJ-13 Kick-out Mechanismによる拡散における基本仮定の判定条件
- 1a-G-12 Ge中のCuの導入及び回復
- ダイオ-ドの高電界I-V特性測定のためのDuty可変のこぎり波発生装置について
- 2a-A-11 II-VI半導体の捕獲準位
- 3p-TC-3 Cd_3As_2の電気的性質
- 1p-TC-1 Bi-Sn合金の異常ホール係数
- 14a-L-2 シリコン中の金の回復
- Uncorrelated Silicon Self-Diffusion Coefficient via Vacancy Mechanism Obtained by Dissociative Diffusion of nickel
- 2a-KL-4 シリコン中の金の回復(II)