酸化物独立薄膜の調製
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概要
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仮基板を使用しない方法により, Al2O3, Al2O3-SiO2系, SiO2, ZrO2, MgAl2O4の独立薄膜を調製した. 前駆物質溶液に界面活性剤を加え, その液膜を白金線枠に張り, 乾燥後900℃又は1000℃に加熱して酸化物膜を得た. 生薄膜はMgAl2O4以外では程度に差はあるが波形断面を示した. 酸化物膜は, 厚さ1-4μmの間にあり, 透明又は少し乳白性を帯びていた.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1985-11-01
著者
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