Sic粒子集合体の電気的非直線性
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概要
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本論文はSiC粒子の表面に形成されているSiO2の影響を考慮に入れた場合のSiC粒子集合体の電圧非直線特性についてのべる.非直線性はI=(V/C)αの式で表示される. 粉砕されたままのSiC粒子のαは, 5kg/cm2の臨界圧力以下の印加圧力で, 圧力の増加とともに大きくなる. 臨界圧力以上では, αは圧力に無関係に一定値を示す. 臨界圧はSiC粒子表面に形成されるSiO2の厚みが厚くなると大きくなる. αと電圧の間にはα=bVaの関係がある. 臨界圧以上ではaは電圧, 圧力, SiC粒子の種類に無関係に一定である. 臨界圧以下におけるαの圧力依存性は, SiO2層の厚みが圧力とともに変ることによっておこる. SiO2層の厚みは印加圧力が増大するにつれて減少する. SiO2層のαにおよぼす影響について論じられている.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1969-10-01