ケイ酸と金属ハロゲン化物を用いたゾル・ゲル法によるSiO_2-M_xO_y系薄膜とゲルの調製
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概要
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A method for preparing SiO_2-M_xO_y (M=Ti, Sb, V, Zr, Sn) thin films and monolithic gels was investigated. The reaction of silicic acid (SA) with metal chlorides or oxychlorides in organic solvents gave homogeneous solutions. Transparent gel films and gels were obtained by dip-coating of a glass substrate and aging of the solutions in a polyethylene beaker, respectively. Heat treatment of the gel films yielded oxide thin films with thickness from 0.1 to 0.4 μm with a transmittance of above 90%.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1992-05-01
著者
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