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直接─間接遷移移行領域での (Ga, Al) AsP-n接合の温度特性 : イオン結晶・光物性
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概要
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社団法人日本物理学会の論文
1969-03-30
著者
須崎 渉
三菱電機
菅 博丈
三菱電機
奥 泰二
三菱電機
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1)(Ga, Al)As発光素子(第4回 固体画像変換装置研究委員会)
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