MOS系における水素中の熱処理効果 (I) : 半導体 (表面)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1969-03-30

著者

• 森田 義則

  富士通第2半導体技術部

• 山本 成志

  富士通第2半導体技術部

• 鈴江 英治

  富士通第2半導体技術部

関連論文

• MOS系における水素中の熱処理効果 (II), 金効果 : 半導体 (表面)
• MOS系における水素中の熱処理効果 (I) : 半導体 (表面)

スポンサーリンク