2a-F-7 LiTaO_3単結晶の誘電分散
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1968-04-01
著者
関連論文
- X線顕微法による硫酸グリシンの観察(誘電体)
- Nbを添加したルチルの電気的性質 : 誘電体
- 6a-L-4 CdSe単結晶の電気的性質
- 硫化カドミウムの電気的性質(II)(格子欠陥)
- 9a-F-9 BaTiO_3の真空蒸着膜(III)
- 2a-F-6 LiTaO_3の光学的性質(II)
- 13p-Q-3 LiTaO_3の光学的性質
- 6a-H-4 LiNbO_3の光学的性質(I)
- 3p-D-10 黄血塩の蝕像
- パルス縦電場効果によるシリコンの表面準位 : 半導体 : 表面
- 6p-G-5 硫酸グリシンの圧電的性質 (II)
- 硫酸グリシンの圧電特性 : 誘電体
- 硫酸グリシンの誘電率 : 誘電体
- 12a-L-4 硫酸グリシンの導電率
- 硫酸グリシンの分極反転 : XIX. 誘電体
- 16D-20 二三の強誘電体の低温特性
- 2a-F-7 LiTaO_3単結晶の誘電分散
- 13p-Q-2 LiNbO_3の誘電分散
- 6a-L-3 CdSの表面状態 : 縦電場効果
- GdSにおけるCyclotron Resonanceの観測(主題:半導体のサイクロトロン共鳴,半導体シンポジウム)
- CdSのサイクロトロン共鳴吸収 : 光物性
- 11a-L-3 CdS単結晶の電気的性質
- BaTiO_3 真空蒸着膜の研究 (4) : 誘電体
- BaTiO_3の真空蒸着薄膜(II) : 誘電体
- 11p-M-4 マイクロ波によるNiOの電気的性質
- 2a-D-4 硫酸グリシンの放射線照射効果
- 12a-L-5 硫酸グリシンの分極反転 II
- 硫酸グリシンの蝕像 : XIX. 誘電体
- 30p-T-4 強誘電体5PbO・3GeO_2単結晶の音響光学的性質
- 3a-GD-5 TGSの光弾性定数(II)
- 2p-GD-3 TeO_2の物性
- 2a-GD-13 TeO_2単結晶の温度特性
- 15p-D-10 TeO_2の光弾性定数
- 10a-G-5 TeO_2の弾性的性質
- LiNbO_3単結晶の圧電的,弾性的性質 : 誘電体
- LiNbO_3単結晶の蝕像,生長稜,格子欠陥 : 誘電体
- LiNbO_3系単結晶の引上法による育成 : 誘電体
- 電極物質と分極反転 : 誘電体
- BaTiO_3の結晶転位 (II) : 誘電体
- チタン酸バリウムの結晶転位 : 誘電体
- 9a-F-6 BaTiO_3の厚さ依存性
- 分極反転の現象論 : 誘電体
- 3p-D-9 黄血塩の光学異常
- 12a-L-1 黄血塩の結晶構造 I
- 3p-A-3 LiNbO_3系結晶の育成と性質
- 誘電体(昭和37年度における各専門分野研究活動の展望)
- 9a-F-7 電極物貭と分極反転 II