半導体の表面処理と表面再結合速度 : 半導体 : 結晶成長
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1965-10-10
著者
関連論文
- 12a-K-16 P型Si p-i-n構造における二重柱入(III)
- 半導体の空間電荷制限電流について : 半導体(ダイオード)
- 雑音によるSiのlife timeの測定 : 半導体
- CdSの空間電荷制限電流 : 半導体 : 輸送
- 半導体の表面処理と表面再結合速度 : 半導体 : 結晶成長
- 微分容量法によるbarrier heightと担体濃度の測定 : 半導体 : 輸送