GaAsの非直線領域での電界分布 : 半導体 : 不安定性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1965-10-10
著者
関連論文
- 半導体実験 (昭和41年度における各専門分野研究活動の展望)
- GaAs の電流発振機構
- GaAsの非直線領域での電界分布II : 半導体(不安定性)
- GaAsの非直線領域での電界分布 : 半導体 : 不安定性
- PbTeのサイクロトロン共鳴(主題:半導体のサイクロトロン共鳴,半導体シンポジウム)
- 7p-A-5 n型PbTeのAzbel'-Kanerサイクロトロン共鳴
- 6a-L-8 PbTeの1:1からのずれ
- PbTeの振動的磁気抵抗 : 低温における半導体の電気的性質シンポジウム
- PbTeの振動的磁気抵抗効果 : 半導体
- 8p-M-7 極低温に於るPbTeの電気的性質
- 19L-14 半導体の熱伝導測定
- 19L-3 PbTeの電気的性質
- 9A8 PbTeの電気的性質
- 29A-11 半導体の熱伝導度測定(誘導体)