4p-A-12 Siliconのphoto current decay
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1963-04-04
著者
関連論文
- Siのphoto current decay(半導体(プラズマ))
- 4p-A-12 Siliconのphoto current decay
- SiおよびGeにおける電場内のphotocurrent decay : 半導体
- 7a-L-7 pnpm素子の温度特性
- 14p-A-7 超階段接合の電圧破壊
- 14p-A-5 Geに於ける超階段接合容量の温度特性
- 超階段接合をもつ可変容量素子 : 半導体
- 9p-M-1 Si p-n junctionのbreakdownに於ける諸現象
- 20L-18 Ge p-n junctionの表面現象
- 9A2 Si-Ge合金
- 19G-12 ゲルマニウム・ダイオードの電気容量