14a-A-8 Siのepitaxial growth
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1961-10-09
著者
-
中沼 尚
日電ic
-
長船 広衛
日電
-
中沼 尚
日本電氣株式会社
-
太田 邦一
日本電氣株式会社
-
長船 広衛
日本電氣株式会社
-
羽田 裕一
日本電氣株式会社
-
羽田 裕一
日電 I. C.
-
太田 邦一
日電 集積回路
関連論文
- Ge及びSiのEpitaxial Growth : 半導体
- Ge dendrite中の不純物分布 : 半導体
- スパッタMo膜の性質 : 薄膜
- SiO_2の気相成長 : 半導体 : 結晶,表面
- Si-SiO_2の気相成長 : 半導体(結晶成長, Device (酸化膜))
- 半導体のEpitaxial Growth (技術者のために : 第XXX回 結晶成長(13))
- 7a-L-4 Si及びGeのEpitaxial growth
- 14a-A-8 Siのepitaxial growth
- 14a-A-7 GeのEpitaxial Growth
- MIS構造の電気的特性 : 半導体 (表面)
- 4a-A-5 Siのepitaxial growth
- SiのEpitaxial Growth : 半導体
- 半導体の気相成長
- III-V族化合物半導体の結晶成長 (技術者のために : 第XXIX回 結晶成長(12))
- 4a-L-5 Saddle Point Optical Trausition Under the Crossed Filectsicd Mapetie Field