5a-M-5 Additive ColoringによるF-中心の生成機構
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1960-04-02
著者
関連論文
- Brrier Narrowing Tunneling : 半導体(Device(応力効果, その他)
- 9a-L-4 転位に捕えられたF中心。III : K中心と不純物との関係。
- 9a-L-3 転位に捕えられたF中心。II : K中心のDichroism特性
- 9a-L-2 転位に捕えられたF中心。I : K中心について。
- KCl単結晶の熱腐食孔 : 格子欠陥
- KCl単結晶のSurface Potential Barrier : イオン結晶
- Additive ColoringによるF着色の機構 : イオン結晶
- 5a-M-5 Additive ColoringによるF-中心の生成機構
- 4a-TC-7 Geの水蒸気エッチング
- InAs単結晶中の析出(半導体(拡散,エピタキシー)
- 7p-Q-4 CdTeの気相成長(II)
- 7p-Q-3 CdTeの気相成長 (I)
- 8a-B-1 CdTe中のAuの動き
- 6a-B-10 CdTeのCd転位とTe転位
- 9a-C-9 CdTeのEtch Pit
- 11p-F-7 CuGaS_2からの共鳴ラマン散乱 II
- 14p-W-8 CuGaS_2からの共鳴ラマン散乱
- I_2化学輸送法によるCuGaS_2の結晶成長 : 気相成長
- InAs単結晶成長時の温度ゆらぎと縞模様 : 結晶成長
- エピタキアル シリコンの成長錐 : 結晶生長