9p-M-7 Geの照射損傷(III)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1959-10-08
著者
関連論文
- 10a-Q-13 SiへのAu拡散における空格子発生源
- 15a-G-12 シリコン中の金の挙動(III)
- 3p-L-2 シリコン中のAuの挙動(II)
- Si中のAuの挙動 : 格子欠陥
- Ge・放射線損傷[II] : XIV. 格子欠陥
- 19K-11 Geの熱効果と放射線損傷 〔1〕
- 2a-TA-3 解離拡散方程式の数値解
- 24p-L-1 シリコンへのリン拡散における表面効果押出効果の新機構
- 11a-U-3 Si中のV族不純物と空格子点の結合エネルギー
- 3p-N-14 Si空格子点の生成エネルギーおよびV族不純物との結合エネルギー(II)
- 5a-G-5 シリコン中のリン拡散係数の異常性
- 3a-G-9 チャネリング法などによるSi中の拡散金の位置決定
- 解離拡散における空孔および格子間原子平衡の條件 : 格子欠陥
- 15a-G-11 Si p-n接合でのすべりおよび上昇運動による転位の発生
- 15a-G-9 SiP-N接合の格子欠陥と生成 : 再結合中心
- Si中の不純物のDissociative diffusion : 格子欠陥
- 3p-M-5 Knocked-on atomの飛跡
- 9p-M-7 Geの照射損傷(III)