5F6 硅酸亜鉛の電子衝〓効果

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 1954-11-02

著者

• 近藤 正之

  マツダ研

• 近藤 正之

  東芝マツダ研

関連論文

• John. N. Shive著: The Properties, Physics and Design of Semiconducto Devices. D.Van Nostrand Company Inc. 1959 487頁, 16×23cm $9.75
• 19F-21 P-N接合の光起電力の分光分布
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