2F13 A型トランシスターのCurrent gain;trap theoryの注意
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1954-11-02
著者
関連論文
- 半導体エレクトロニクス
- CdS-金属contactの整流特性と発光現象 : XX. 半導体
- 19F-25 Ge単結晶からthermal acceptorをひき出す実験
- 16p-A-1 ガラス状半導体の電気的性質
- 5a-M-2 固体における不安定現象 II
- CdTe rodの局所照射で見られる連続発振 : 応用半導体
- 10p-E-5 問題点と今後の発展の可能性
- OSCILLISTOR現象の一つの考え方 : 半導体
- 3p-L-5 シリコンpn接合のmicroplasma現象
- 9p-M-2 シリコン金属接触及びpn接合のmicroplasma
- シリコン金属接触及びP-n接合からの発光現象 : XX. 半導体
- 20L-19 半導体表面電場効果とchannelに関する実験
- トランジスタ : 国産品, 外国品の種類と, その使い方
- 19F-24 ゲルマニウム合金接合の過剰電流
- 19G-20 Geの時定数の長い表面現象
- 19G-17 Ge表面層の二三の実験
- 合金接合トランジスタのtransient現象 : 半導体(実験)
- 合金接合周辺の不均一さの観測 : 半導体(実験)
- ゲルマニウム表面処理とEtch Pits : 半導体(実験)
- 非金属単結晶の作り方 : f)ゾーンメルティング法(ゲルマニウム)
- 2F13 A型トランシスターのCurrent gain;trap theoryの注意
- トランシスターについて
- トランシスターについて
- Ge整流器の逆方向における過渡現象
- 17C4. Ge diode, creepの現象論