2F5 眞性領域の近くでの半導体のホール効果

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1954-11-02

著者

• 金井 康夫

  電気通信研究所

• 古荘 勝久

  電気通信研究所

関連論文

• 19G-8 n-型InSbの極低温に於ける電気的性質
• 19G-7 低抵抗のn型Geの極低温における電気的性質
• 低抵抗n型Geの極低温における電気的性質(II) : 半導体(実験)
• 半導体の不純物伝導
• 2F5 眞性領域の近くでの半導体のホール効果

スポンサーリンク