20F-16 CdS單結晶のmagnetoresistance効果
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1957-10-16
著者
関連論文
- 1T-TaS_2,1T-TaSe_2中の^TaのNMRとNQR : 電荷密度波構造の微視的研究(遷移金属カルコゲナイド,低次元性無機化合物の相転移と化学結合,科研費研究会報告)
- 8a-M-8 CdS結晶のpiezoelectric effect
- パルス電圧による蛍光体の電場発光(III) : XXI. 光物性
- Cadmium Sulphideの格子振動(1) : XX. 半導体
- 19L-11 "Magneto-Resistance Effects in Cadmium sulphide" [IV]
- 20F-16 CdS單結晶のmagnetoresistance効果
- 17G-23 放射線照射によるCdS単結晶の変化
- 17G-22 光導電性半導体CdS單結晶内の傳導電子の擧動に就いて
- 光導電性半導体CdS單結晶内の自由電子の易動度に就いて : 半導体(実験)
- CDS単結晶のRadiation Damage : イオン結晶(実験)
- 3F9 Cds 単結晶の光電流に及ぼす磁場の影響について
- 超伝導(期待される技術とその課題)( 激変する国際環境と精密工学)
- 超々LSIのインパクト
- 5a-B-7 遷移金属カルコゲナイドの物性
- 30C9 CdS單結晶の光電流に及ぼす磁場の影響に就いて(その2)(30C 半導体)
- 30C6 CdSの表面電位(30C 半導体)