30p-R-3 磁場中のバリアD-状態 II

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1997-03-17

著者

• 金丸 貞義

  北大工

• 徳田 直樹

  北大工

関連論文

• 25aYT-3 量子ホール系の電流分布 : ポテンシャルと電子温度の空間変動の効果(低次元電子系,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 14aYB-3 量子ホール系におけるエッジチャネル近傍の電子温度と電流密度の空間分布(量子ホール効果, 領域 4)
• 29pYG-5 量子ホール系のエッジチャネルと電子温度の空間分布(量子ホール効果)(領域4)
• 31a-M-7 不純物に束縛された光学ポーラロン
• 3p-RM-13 表面に電子を載せた液体^4He上の非線形波動
• 27a-HE-13 電子-リプロン系の表面ポーラロンII
• 3p-BE-9 電子-リプロン系の表面ポーラロン
• 30a-H-9 1次元変形ポテンシャルポーラロンとその相図
• 2p-G-11 ポーラロンの自由状態と自縄自縛状態間のポテンシャル障壁
• 2p-G-10 ポーラロンの相図物理学
• 28a-HJ-12 血管内脈波の非線形理論
• 30p-SJ-10 拍動流の準一次元模型とBurgers方程式
• 27aTB-1 量子ドット中のエッジ状態とWKB法
• 26pD-12 量子ドット中の2電子問題とWKB法
• 30p-ZE-5 強磁場中の2重層D^-センターII
• 27a-YN-17 強磁場中の2重層D^-センター
• 5a-E-13 磁場中のバリアDセンターにおける基底状態の遷移と電子相関
• 30p-R-3 磁場中のバリアD-状態 II
• 磁場中のバリアD^-状態
• 31a-YL-2 GaAs/AlGaAsヘテロ接合における高電子移動度とバックグラウンド不純物散乱
• 29a-K-5 ブロッホ・グリューナイゼン領域におけるGaAS/AlGaAsヘテロ接合の電子移動度
• 30p-N-15 GaAs/AlGaAsヘテロ接合における電子移動度
• 24a-M-16 量子化された熱電能の温度依存性
• 30p-Z-8 AlGaAs/GaAsヘテロ接合におけるフォノン・ドラッグ熱電能
• 2a-KC-13 変形ポテンシャルによるバイポーラロン系
• 5a-NE-9 表面ポーラロンとその相図
• 31a-M-8 不純物に束縛された変形ポテンシャルポーラロン
• 4a-K-3 ポーラロンの基底エネルギーと結合定数
• 4a-K-2 ポーラロンと変分原理
• 30a-R-10 強結合ポーラロンと変分原理
• N.W. Dean, Introduction to the Strong Interactions, (Gordon and Beach, New York and London, 1976, xiv+377ページ, 24×16cm, 14,970円.

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク