2p-W-2 カルコゲナイドガラスのガラス転移と光構造変化 II
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1981-03-30
著者
関連論文
- 3a-A2-15 a-Si:Hにおけるキャリアの熱緩和とルミネッセンス
- 4p-A-5 a-As_2S_3における光構造変化,蛍光の偏光特性III
- 1p-PS-1 a-As_2S_3における光構造変化、蛍光の偏光特性II
- 13a-E-15 a-As_2S_3における光構造変化、螢光の偏光特性
- 27a-SB-31 カルコゲナイドガラスの光構造変化と螢光
- アモルファスAs_2S_3の光構造変化とガラス転移(VI. 半導体の格子緩和,強結合電子・格子系の動的物性,科研費研究会報告)
- 31p-B-4 カルコゲナイドガラスのガラス転移と光構造変化III
- 2p-W-2 カルコゲナイドガラスのガラス転移と光構造変化 II
- 1p-B-2 カルコゲナイドガラスのガラス転移と光構造変化
- 28a-D-6 カルコゲナイドガラスの螢光への光構造変化の効果
- 3a-A2-5 a-As_2S_3の光誘起準安定状態とPL中心
- 準結晶(基研短期研究会「トポロジーの物理への応用」報告,研究会報告)
- 準結晶(準結晶,基研短期研究会「トポロジーの物理への応用」報告,研究会報告)
- 3a-NK-6 非晶質金属転位模型の格子振動
- 3a-NK-4 非晶質金属の3体相関
- 1p-BE-6 非晶質金属構造の転位モデル
- 31p-B-13 ガラス及び結晶砒素カルコゲナイドの光検出ESR
- 4p-NL-5 アモルファスAs_2S_3の光検出ESRII
- 2p-W-1 アモルファスAs_2S_3の光検出ESR
- 29p-F-5 GaAs中の転位の電気的性質
- 2p GJ-4 GaAs中の転位レベル
- 5a-DQ-11 変形されたGaAsの電気的性質 V
- 31p-BB-8 変形されたGaAsの電気的性質 IV
- 9p-P-14 変形されたGaAsの電気的性質III
- GaAs中の転位の電気的性質(研究ノ-ト)
- 6p-Q-9 変形されたGaAsの電気的性質II
- 11p-N-8 変形されたGaAsの電気的性質
- 13a-E-16 a-As_2S_3の光学的検出ESR
- 13a-E-14 カルコゲナイドガラスのγ線照射効果
- 13a-E-3 a-GeSe_2の時間分解ルミネッセンス
- アモルファス固体の構造と安定性
- 2p-L2-11 a-As2S3低エネルギー励起のフォトルミネッセンスII(半導体,(アモルファス))
- 1p-D1-2 アモルファス半導体の光音響分光(1p D1 半導体(アモルファス・ナローギャップ),半導体)
- 29a-FC-7 AlAs-GaAs系の二重量子井戸のフォトルミネッセンス(29a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))