30a-N-8 EuTe 及び EuSe の 磁気ポーラロン状態 I
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1993-03-16
著者
関連論文
- 3a-B-13 Antiferromagnetic Polaron
- s-fモデルと電子状態 X (13) -CPAの新しい計算方法-
- s-fモデルと電子状態 XI (15) -fcc反強磁性半導体とCPAの結果-
- s-fモデルと電子状態 XI (14) -bcc反強磁性半導体とCPAの結果-
- s-fモデルと電子状態 XII (12) -スピン相対関関数の規格化の効果-
- s-fモデルと電子状態 XI (11) -fcc反強磁性半導体へのCPAの適用-
- s-fモデルと電子状態 X (10) -bcc反強磁性半導体へのCPAの適用-
- s-fモデルと電子状態 VII -グリーン関数法VとVI-
- s-fモデルと電子状態 VIII -強磁性温度領域でのCPA-
- s-fモデルと電子状態 IX -電気伝導度の計算-
- 14a-DE-16 s-fモデルと電子状態III
- s-fモデルと電子状態 VI -グリーン関数法 IV と状態密度-
- s-fモデルと電子状態 IV -CPAとグリーン関数法 I との関連-
- s-fモデルと電子状態 V -グリーン関数法 III と状態密度-
- 27a-ZH-15 s-fモデルと電子状態 II
- s-fモデルと電子状態 III -基礎方程式の改良-
- s-fモデルと電子状態 II -基礎方程式の解析-
- s-fモデルと電子状態 I -状態密度-
- Gd-doped EuO，EuSの実験について
- 30p-X-1 s-fモデルと電子状態 I
- 28aTB-13 希薄磁性半導体中の励起子礎気ポーラロンの理論 (I)
- 23pSB-4 希薄磁性半導体中の束縛磁気ボーラロンの理論 : 有限磁場下での磁化の熱揺らぎ
- 22pK-1 拡張分子場近似による希薄磁性半導体中のhole-type束縛磁気ポーラロンの計算
- 24aC-11 希薄磁性半導体中の束縛磁気ポーラロンの理論 II
- 29a-ZE-6 希薄磁性半導体中の束縛磁気ポーラロンの理論
- 8a-E-1 Euカルコゲナイド, EuX, (X=S, Se, Te)の発光過程に於ける格子緩和の重要性。
- 30p-R-13 EuSeに於ける高密度伝導電子状態と磁性 (II)
- 2p-X-12 EuSeに於ける高密度伝導電子状態と磁性 (I)
- 31a-YP-13 光誘起局在磁気ポーラロンとルミネセンス(II)
- 5p-F-18 EuSeに於けるself-trapped magnetic polaronの存在の傍証?
- 28a-K-11 光誘起局在磁気ポーラロンとルミネッセンス(1)
- 30a-N-8 EuTe 及び EuSe の 磁気ポーラロン状態 I
- 27a-ZH-14 閃亜鉛鉱型MnTeの光吸収端の磁気的ブルーシフトの計算
- 27p-C-2 Eu-rich EuTeでの高密度磁気的F中心と磁性と伝導
- 30a-J-1 磁性半導体中の過剰電子に対する密度汎関数の方法(IV)
- 星の重力崩壊と高密度磁気ポーラロンの結晶化
- 2p-G-12 希ガス固体中の自己局在ホール IV : 原子番号依存性の原因
- 31a-Pβ-13 希ガス固体中の自己局在ホールIII : Ne,Kr,Xe
- 5p-NE-9 希ガス固体中の自己局在ホール II(Ar)
- 5p-NE-8 希ガス固体中の自己局在ホール I
- 2a-B-8 マグネティックポーラロンに対する電子-格子相互作用の効果(II)
- 4p-BL-2 マグネティックポーラロンに対する電子格子相互作用の効果
- 12p-A-4 音響的格子ポーラロンの理論
- 8a-M-6 縮退磁性半導体に於ける磁気整列機構の理論(II)reaervoir効果
- 3p-W-12 バンド幅の広い縮退磁性半導体中に於けるCarrierの磁気秩序に及ぼす影響
- 6p-KK-2 有限温度・反強磁性半導体中に於ける 自縄自縛マグネティツ ポーラロン (II)
- 6a-K-9 Self-Trapped Antiferromagnetic Polaron at T≠0°K (I) E_0》IS
- 30p-LF-8 磁性半導体に於ける密度汎関数の方法 : (I)高密度束縛磁気ポーラロンと非金属-金属転移(磁性)