30p-M-9 ZrTe_5およびHfTe_5のラマン散乱
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1983-03-11
著者
関連論文
- 5a-D3-18 反射率変化を用いたTiSi_2/Siの被覆率測定
- 2a-P-6 高融点金属シリサイド単結晶の光学的性質
- 28a-ZC-4 PZT薄膜のラマン散乱
- 14a-J-8 PT, PZT薄膜で観測される145cm^ラマンピークの起源
- 30a-ZR-10 PbTiO_3薄膜のラマン散乱
- 30p-M-9 ZrTe_5およびHfTe_5のラマン散乱
- 31p-YN-11 レーザーアブレーションで作成したCuInSe_2薄膜のラマン散乱
- 13p-PS-9 Ti_Hf_xSe_2系の赤外反射
- 2p-W-29 遷移金属カルコゲナイドのマイクロ波伝導
- 2p-KH-13 ZrTe_5およびHfTe_5のラマン散乱III
- 31p-PS-129 Pb系銅酸化物の合成と電気的性質
- 5a-PS-15 SmBa_2Cu_3O_へのBiドーピングと超伝導転移
- 4p-F-8 (MX_4)_xI (M=Nb,Ta;x=Se,S)の電気的性質
- 13p-PS-27 ZrTe_5およびHfTe_5のラマン散乱 II
- 30p-E-9 TiSe_2の電気抵抗の温度変化
- 2p-B-16 Ti_HF_xSe_2系の電気的性質 III : ホール効果
- 1a-FB-3 (NbSe_4)_3Iおよび(TaSe_4)_2Iの電気的性質II(1a FB 半導体(擬一次元物質))