31p-BE-6 高圧下における鎮カルコゲナイドの物性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1978-03-10
著者
関連論文
- 1p-BE-3 非晶質Ge : 遷移金属合金の構造と物性
- 12p-R-2 非晶質Fe-Ge,Ni-Ge合金の構造と物性II : 電気的性質
- 12p-R-1 非晶質Fe-Ge,Ni-Ge合金の構造と物性I : 構造
- 11p-C-17 非晶質Fe-Ge合金の磁性
- 14a-P-5 液体Te合金の電気的磁気的性質
- 6p-KC-5 非晶質InSb の高圧力下における金属化転移に伴う構造変化
- 6p-KC-4 圧力誘起によるInSbの半導体-金属転移
- 6p-KC-3 非晶Ge-遷移金属合金の電気的磁気的性質
- 25p-T-3 非晶質InSbの高圧力下における非金属-金属転移
- 14pXE-6 液体 Rb-Se 混合系における二液相分離の出現と局所構造 II(液体合金, 液体半導体, 分子性液体, 領域 6)
- 29aZC-2 液体 Te-Se 系の EXAFS
- 5a-T-7 液体Te合金の電気的磁気的性質(II)
- 2a-BE-2 高温高圧下における液体Te合金の電気的性質 IV
- 29p-YG-11 圧力クエンチされた単結晶Se_Te_の構造と電子状態
- 13p-A-10 高圧下で金属化したSe-Te混合系の構造 II
- 5a-Q-9 液体Bi-BiX_3のNMR
- 27a-E-6 モルデナイト細孔中のカルコゲナイドのPAS
- 5a-Q-8 液体Tl_2(Te_Se_x)の電気的・磁気的性質
- 27pWK-9 液体As-Te混合系の半導体-金属転移領域における中性子回折IV(液体金属・液体半導体)(領域6)
- 21aTK-4 液体 As-Te 混合系の半導体-金属転移領域における中性子回折 IV
- 1a-UA8 モルデナイト細孔中に閉じ込めた一次元原子鎖の物性
- 3p-YB-1 液体カルコゲンの構造と電子状態
- 1p-PS-7 高圧下におけるアモルファスAs_2S_3の光誘起構造変化と局所構造
- 12p-D-4 高温高圧下における液体イオウの光反射率
- 27a-SB-34 高圧合成したAs_2S_3の結晶 : ガラス構造緩和
- 27a-SB-24 高圧下におけるSeのガラス形成過程
- 27a-SB-21 アモルファスSe-Te混合系における高圧金属相の構造安定性
- 31p-B-15 高圧下のアモルファスSe-Teの構造安定性と半導体-金属転移
- 28a-U-7 高圧下における液体Bi-BiBr_3系の音速測定
- 28a-U-5 液体Tl-Se系の二相分離
- 5a-Q-4 高圧力下における液体Bi-BiX_3のmiscibility gap
- 5a-Q-3 高圧力における液体アルカリ合金のmiscibility gap
- 5a-Q-2 液体合金の二相分離領域に対する圧力効果
- 3a GP-10 高圧下におけるmiscibility gapの決定 I
- 3a GP-7 高圧下における銀カルコゲン系のイオン構造と電気的性質
- 3a GP-6 高圧下におけるmissibility gapの決定 II
- 4a-AC-7 高圧下における液体半導体の熱起電力
- 4a-AC-3 金属-塩 液体混合系の相分離
- 3a-DR-11 高温高圧下における超イオン導電体の物性
- 6a-LT-12 非晶質Fe-Ge,Ni-Ge合金の磁性(低濃度側)
- 2p-W-13 高圧下におけるアモルファスSe-Te系の半導体 : 金属転移
- 4a-NE-15 超イオン導電体(Cu_Ag_x)Iにおけるイオンの運動
- 4p-NL-7 高圧下におけるアモルファスSe-Te系の構造安定性
- 30a-T-9 高圧下における液体Se-Te,S-Te系の音速
- 31p-BE-6 高圧下における鎮カルコゲナイドの物性
- 12a-L-7 高圧下におけるイオン性融体の電気伝導度
- 12a-L-10 高圧下における液体半導体の非金属-金属転移
- 7a-D-11 高圧下における液体Bi合金の電気伝導度
- 7a-D-10 高圧下における液体Te合金の半導体-金属転移
- 7a-V-9 液体Te合金の電気的磁気的性質(IV)-圧力効果
- 11p-L-10 液体Te合金の電気的磁気的性質(III)
- 2a-BE-5 液体二元合金のmiscibility gap
- 12a-L-12 液体Tl-Te合金のmiscibility gap