29p-J-16 1700℃でアニールした照射ダイアモンドの光反応とESR
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1994-03-16
著者
関連論文
- 3a-W-5 ダイヤモンドのカラーセンターの高圧力下での蛍光スペクトル
- 28a-HE-1 光励起による非平衡超伝導の観測
- 30p-H-3 非平衡超伝導における準粒子の光励起とトンネル注入の比較
- 1a-F-9 高圧力下での半導体の温度変調分光
- 29p-J-15 ダイヤモンドのNi, N及び空格子の光反応ESR
- 15p-DD-7 ダイヤモンド内の点欠陥のESRとフォトクロミズム
- 15p-DD-5 ダイヤモンドのカラーセンターのゼロフォノン線における同位体効果
- 29p-Q-8 ダイヤモンドのNVセンターの^< 13 > C 超微細構造
- 28p-ZD-14 ダイヤモンドのNVセンターの^Cによる超微細構造
- 28p-ZD-13 ダイヤモンドの格子欠陥局在モード赤外吸収の同位体効果と熱変換過程
- 28a-A-10 ^C混晶ダイヤモンドのラマン散乱光のアイソトープ効果II
- 31p-CA-15 n 型 Hg_1-xCd_xTe の表面蓄積層
- 3p-Q-2 共鳴四光子ミキシング法によるn-HgCdTeの電子スピン共鳴の研究(IV)
- 27a-G-1 合成ダイヤモンドの誘導ラマン散乱
- 4p-TC-12 AgBr_Cl_xの高圧下での分光測定II
- 29p-RC-2 照射欠陥を含むシリコンの赤外光誘起磁気モーメントの観測
- 31p-M-9 中性子大量照射によるダイヤモンドの吸収スペクトルの変化
- 28p-YN-9 中性子照射したII型ダイヤモンドの新しいESRセンター
- 29p-YC-11 高温アニールした中性子照射ダイヤモンドの赤外吸収
- 15p-DD-6 高温アニールダイヤモンドの格子欠陥の光反応過程
- 2a-F-1 一軸性圧力下でのダイヤモンドにおける格子欠陥の赤外吸収
- 29p-J-16 1700℃でアニールした照射ダイアモンドの光反応とESR
- 29p-Q-10 Ib型ダイヤモンドにおける原子空孔の光反応
- 28p-E-1 ダイヤモンドのH2センターのESRによる構造解析
- 28p-C-6 ダイヤモンドのカラーセンターのフォトクロミズム
- 27p-D-4 ダイヤモンドのH2センターのESRスペクトル
- 27p-D-3 合成ダイヤモンドのカラーセンターの^Nおよび^CによるENDOR
- 3p-C3-18 ダイヤモンド中のカラーセンター,H2センターの分光特性
- 27p-D-7 ダイヤモンド中のNVセンターの強磁場ゼーマン効果
- 28p-E-2 ダイヤモンドのサーモルミネセンス(IV)
- 27p-D-6 合成ダイヤモンドにおけるJahn-Teller歪した窒素センターの光照射による再配向
- 27-D-5 ダイヤモンドのH2及びH3センターのフォトクロミズム(VI)
- 27a-W-15 ダイヤモンドのNVセンターのESRとゼーマン効果
- 24a-W-2 ダイヤモンドの格子欠陥局在振動の^C同位体効果
- 4p-M-12 ___
- 3p-C3-21 Ib型ダイヤモンドのNV中心における光利得測定
- 3p-C3-19 Ib型ダイヤモンドのNV中心における光ESRと光誘起磁気モーメント
- 3p-C3-17 放射線照射Ib型ダイヤモンド中の窒素複合欠陥
- 3p-C3-16 合成ダイヤモンドのカラーセンターのオプトエレクトロニクスへの応用
- 3a-TF-7 CW HCNレーザーの動作特性
- 1a-TC-14 HCNレーザーによるInSbのサイクロトロン共鳴
- HCNレーザーによるInSbのサイクロトロン共鳴 : 半導体 (化合物, その他)
- 27p-D-8 ダイヤモンドのサーモルミネセンス(III)
- 3a-W-4 ___
- 2p-N-11 ダイヤモンドのサーモルミネセンス
- 7p-B-19 Zeeman Spectrum of Germanium Donor
- 3p-N-8 ドナー吸収スペクトルの補償効果 II
- 3p-N-7 ドナー吸収スペクトルの補償効果 I
- 1a-TC-4 ゲルマニウム中にドナーのゼーマン効果
- 不純物準位スペクトルの濃度変化 : 半導体 (下純物)
- 6a-H-4 不純物半導体の遠赤外吸収 II
- 27a-W-16 Ib型ダイヤモンドのフォトクロミズムとESR
- 3a-W-1 光励起下でのダイヤモンドのESR
- 2p-N-9 ダイヤモンドのN中心の一軸性応力効果と光照射効果
- 4p-M-17 アクセプター状態のゼーマン効果
- 4p-M-18 束縛励起子の遠赤外吸収スペクトル
- 24a-W-3 ダイヤモンドの遠赤外(75.6cm^)共鳴モード
- 4p-M-11 ダイヤモンドの遠赤外(75.6cm^)の吸収
- 2p-N-10 ダイヤモンドの照射欠陥の熱変換と局在モード赤外吸収
- 4p-M-13 ダイヤモンドのラマン散乱と照射効果
- 4p-TC-17 光磁気効果で観測したナフタレンの励起三重項状態の緩和過程(II)
- 4a-PS-11 光磁気効果で観測したナフタレンの励起三重項状態の緩和(II) : 緩和過程
- 4a-PS-10 光磁気効果で観測したナフタレンの励起三重項状態の緩和(I)ルミネセンスとの比較
- 12a-H-9 Hg_Cd_xTeのn型表面反転層
- 2p-R-1 n-InSbの遠赤外電子スピン共鳴
- 3a-KL-8 n-InSbの磁気プラズマによる遠赤外透過
- 22a-G-5 遠赤外レーザーによるn-InSbのESR
- 29a-M-7 SQUIDによる光励起したSiの磁性の測定
- 24a-W-1 ^C混晶ダイヤモンドのラマン散乱光のアイソトープ効果
- 29a-YM-2 波長可変半導体レーザーのホールバーニングへの応用
- 13a-DK-3 ダイヤモンドのワンフォノン吸収の光照射効果
- 29p-Q-9 ダイヤモンドの赤外吸収の光照射効果
- 28p-ZD-15 ダイヤモンドのN3センターのフォトクロミズムと格子欠陥の光感応赤外吸収
- 28p-C-1 はじめに : 現状と展望
- 27a-W-18 ダイヤモンドのH2及びH3センターのフォトクロミズム(V)
- 27a-W-17 ダイヤモンドのホールバーニング効果とエネルギー移動
- 3a-W-6 ダイヤモンドのNVセンターのゼーマン効果
- 新材料としての合成ダイヤモンドの光物性
- 5p-M-1 n-InSbの負性抵抗と負の光伝導現象
- 3p-H-5 n-InSbの不純物光伝導スペクトルの電界,光強度依存性
- 2p-KP-6 Si:Pの光磁気効果とDn状態の寿命
- 30p-P-13 光磁気効果へのSQUIDの応用
- 1a-L-5 SQUID磁束計による光磁気効果の測定
- 29p-J-3 SQUID磁束計を用いた電子スピン共鳴の観測II
- 27a-B-3 Si:Pにおける光誘起磁気モーメントの観測 : 光磁気効果とESRの比較
- 2a-A-3 Si:P中のD^-状態の緩和(II)
- 2a-A-2 SiのD^-中心の光磁気効果(I)
- 11p-E-6 SiのD^-_n状態の光磁気効果とその寿命
- 2a-C-11 SQUID磁束計による光磁気効果の測定 II
- 4p-R-4 ゲルマニユムの束縛励起子の遠赤外分光
- 27a-A-2 不純物状態の遠赤外スペクトルの濃度効果
- 2p-N-14 Ib型ダイヤモンドのNVセンターのホールバーニング効果
- 3a-W-2 ダイヤモンド中のH2センターの光学的特性
- 2p-N-12 ダイヤモンド中のNVセンターにおける光励起緩和過程 (II)
- 2p-N-13 ダイヤモンドのH2及びH3センターのフォトクロミズム(III)
- 3p-B-14 ダイヤモンド中のH2及びH3センターのフォトクロミズム(II)
- 3p-B-16 ダイヤモンドの欠陥誘起赤外吸収とアニール過程
- 3p-B-15 ダイヤモンドのNVセンターにおける光励起緩和過程
- 1a GF-8 HgTeの縁赤外磁気光吸収
- 3p-B-5 不純物帯における遠赤外光伝導 : 波長依存性