27aYG-8 InAs/GaAs歪み量子ドットの輻射幅と遷移電流密度

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2001-03-09

著者

• 牛田 淳

  Necシステムデバイス・基礎研究本部基礎研究所

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